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专家回答
再请教一下,HTOL试验中样品数量、失效数和PPM的计算方法。或者说,如果按照HTOL试验一般性要求,77颗,125℃,1000H情况下0失效,能否对应到一个PPM。
ppm得拿elfr数据参考。htol样本量太小了,htol更多的侧重于评估芯片本身的寿命,其实不管怎么算出来,都只能和客户说是ppm评估值,实际值要按照实际出货量和客退来算。
发布于2022-05-16
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请问各位这样的SHMOO各位有没有啥经验。这样的芯片正常flow还是pass的?如何才能筛出来?
Scan还是mbist的shmoo, 看看fail cycles是不是有共性,是不是接地不干净,GND noise太大了。
发布于2022-05-16
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接上问,芯片只能上面屏蔽,下面如何屏蔽呢?
下面有银浆,银浆都是接地的,除非用DUF胶。
发布于2022-05-08
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比如一个2.5V Device,考虑HCI/TDDB 效应,指标按工作10年对器件的Idsat 有10% Shift,一般VGS 都是按2.5V+10%来定义最高耐压,但是VBD因为不涉及Gate, 我们也按2.75V 定义Max电压么,还是说可以放宽一些?
VBD和Oxide Breakdown电压,WAT的测试里面都有相应的测试结果可以直接参考。HCI和TDDB都会有RE的测试结果,不同电压的可靠性时间都可以直接推出来。VBD不随加压时间Degree,你可以直接参考WAT的结果,留出一定的Window就可以。
发布于2022-05-06
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汤亚萍
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