比如一个2.5V Device,考虑HCI/TDDB 效应,指标按工作10年对器件的Idsat 有10% Shift,一般VGS 都是按2.5V+10%来定义最高耐压,但是VBD因为不涉及Gate, 我们也按2.75V 定义Max电压么,还是说可以放宽一些?
鬼鬼失效分析
2022-05-06 21:18:20
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重庆市 电信
比如一个2.5V Device,考虑HCI/TDDB 效应,指标按工作10年对器件的Idsat 有10% Shift,一般VGS 都是按2.5V+10%来定义最高耐压,但是VBD因为不涉及Gate, 我们也按2.75V 定义Max电压么,还是说可以放宽一些?
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