比如一个2.5V Device，考虑HCI/TDDB 效应，指标按工作10年对器件的Idsat 有10% Shift，一般VGS 都是按2.5V+10%来定义最高耐压，但是VBD因为不涉及Gate, 我们也按2.75V 定义Max电压么，还是说可以放宽一些?

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