比如一个2.5V Device,考虑HCI/TDDB 效应,指标按工作10年对器件的Idsat 有10% Shift,一般VGS 都是按2.5V+10%来定义最高耐压,但是VBD因为不涉及Gate, 我们也按2.75V 定义Max电压么,还是说可以放宽一些?

鬼鬼失效分析 2022-05-06 21:18:20 645阅读 重庆市 电信
比如一个2.5V Device,考虑HCI/TDDB 效应,指标按工作10年对器件的Idsat 有10% Shift,一般VGS 都是按2.5V+10%来定义最高耐压,但是VBD因为不涉及Gate, 我们也按2.75V 定义Max电压么,还是说可以放宽一些?

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1条回答

  • 雨欣
    2022-05-06 21:18:39 已采纳
    VBD和Oxide Breakdown电压,WAT的测试里面都有相应的测试结果可以直接参考。HCI和TDDB都会有RE的测试结果,不同电压的可靠性时间都可以直接推出来。VBD不随加压时间Degree,你可以直接参考WAT的结果,留出一定的Window就可以。
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