在矽元件因PN接合(或是蕭特基接合)而產生的熱氣散發前，從接合部到周圍處的熱電阻以Rth (j-a)表示，從接合部到外殼處的熱電阻以Rth (j-c)表示，從接合部到導線端子的熱電阻則以Rth (j-l)來表示。在網頁中附有各產品的圖片如下，您可利用此求出使用時的接合部溫度：Tj。請注意，此一熱電阻值可能會因基板、焊盤佈局等大小或材質等不同而異。
发布于2023-05-09
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一直以來都是使用內含符合RoHS指令的溴化阻燃劑的模鑄樹脂，但為了進一步減少對環境的影響，而採用無鹵樹脂。半導體製造商羅姆對無鹵的定義(在均質材料中)：(1)氯在900ppm以下(2)溴在900ppm以下(3)氯及溴的含量合計在1500ppm以下(4)三氧化二銻在1000ppm以下。此定義符合IEC61249規定且滿足對環境管理要求嚴格的歐洲主力製造商的需求值。
发布于2023-05-09
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小訊號產品是相同這樣的看法是不會有太大的差異，但是電源產品額定值不同，即使相同的封裝熱阻抗值也不同。
发布于2023-05-09
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必須配合環境溫度降低(derating)額定功率(Pc)。請參考下列圖表，並配合環境減少施加在電晶體上的電力。必須針對安全動作範圍(SOA)進行降額(derating)，詳細資訊請參閱『為了安全地使用ROHM的電晶體-可否使用TR的判斷方法』。在電氣的特性上，例如雙極電晶體/數位電晶體都有輸入電壓(VBE, VI(on), VI(off),)、hFE, GI依溫度而變動的特性。請參考電氣特性區線來...
发布于2023-05-09
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各產品都有其各自的SOA (Safe Operating Area)，若位於其範圍內，則可判斷為可使用。例：VDS = 20V、Idpeak = 2A、Pw = 100μs時 ⇒ 位於Pw = 100μs的範圍內，因此可以使用。
发布于2023-05-09
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1.5V驅動的意義為是指可驅動電晶體的最小VGS電壓1.5V，因此可更換為1.8V、2.5V驅動品。但在GATE-SOURCE間電壓施加最大額定：±10V以上的電壓時，請使用4V的驅動產品。
发布于2023-05-09
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