想请教一个有关MOSFET的关断时D、S电压振荡的问题，在同一个电路上测试了两个不同厂商的30V的MOSFET，得到了关断时不同的VDS电压波形，如下图。可以看到器件1的尖峰较高，但是振荡抑制的很快；器件2的尖峰较低，但是振荡抑制的较慢。因为是在同一块PCB上测量的，所以电路的寄生电感，电阻等参数是不变的，现在只有器件不同。这种尖峰是电路上的寄生电感和MOSFET的电容谐振引起，但是不明白具体是这两个器件哪个参数的差别，会使得这种振荡表现这么不同。是否能够从器件数据的某些参数对比来选择一款实际应用峰值较低
这样的振荡波形，对于一个电源的工程师来说，经常看到，在这里首先谈一下测量方法的问题：（1）如同测量输出电压的纹波一样，所有工程师都知道，要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路，从而减小空间耦合的干扰信号。（2）带宽的问题，测量输出电压纹波的时候，通常用20MHZ的带宽，但是，测量MOSFET的VDS电压时候，用多少带宽才是正确的测量方法？事实上，如果...

发布于2022-05-17

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请教一下，封装之后做了precon+TCT500后的切片，这种程度的void可以接受吗，测试都是PASS的?
bump之后先看x-ray结果判定void是否超标。如果正常那么还要注意bump COP是否在spec范围内。

发布于2022-05-07

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