开始的失效发生在硅片内部,应该是内部D、G击穿,从而导致G、D、S短路,继续工作一些时间后,由于大电流的冲击,导致S和硅片的连线熔化烧断开,因此,D、S开路。

发布于2022-05-17

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T-scan,穿透式扫描,能快速了解器件内部有没有delamination,但是不能确定delam的发生的位置,同时对于微小的delam,可能会由于探头频率过低能量大而穿过以致于无法detect。C-scan,反射式扫描,能根据选定的gate的位置而了解defect的位置,但是可能会由于检测位置以上的defect带来的投影效应而误判。所以需要用A-scan来确认defect位置的波形,进行对比确认...

发布于2022-05-16

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