超结型高压功率MOSFET的UIS雪崩能力为什么比平面工艺低？
超结结构穿透到底部的P区，增加工艺的复杂程度，很难完全控制中间耗尽层和横向电场的对称性，容易发生局部的电场集中。

发布于2022-05-17

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请教可靠性专家，如果样本数如下图的话，那么LTPD是几，消费类电子的话业界一般要求LTPD多少

发布于2022-05-16

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