请问有没有哪位知道flash data retention 10 years 是什么测试条件及什么公式换算过来的？更常用的都是用HTOL 测试换算的。
flash的存储机理是电荷存储，如果电荷漏完了，数据就没有了。所以FAB那边会通过试验测算出一个加速因子，折算出多少温度多少时间等效于常温下的10年存储寿命，flash的CP测试中有烘烤的，就是这个加速条件，然后测数据是否还在。从这个出发，U盘之类的，过了10年，最好数据复制出来再重新写入一次。具体公式参考JESD22-A117，加速条件计算还是用阿瑞尼斯方程data retention问题：

发布于2022-05-06

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