请问有没有哪位知道flash data retention 10 years 是什么测试条件及什么公式换算过来的?更常用的都是用HTOL 测试换算的。

清欢可靠性分析 2022-05-06 21:51:31 580阅读 广西桂林市 联通
请问有没有哪位知道flash data retention 10 years 是什么测试条件及什么公式换算过来的?更常用的都是用HTOL 测试换算的。

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1条回答

  • 核能气质少年
    2022-05-06 21:51:46 已采纳

    flash的存储机理是电荷存储,如果电荷漏完了,数据就没有了。所以FAB那边会通过试验测算出一个加速因子,折算出多少温度多少时间等效于常温下的10年存储寿命,flash的CP测试中有烘烤的,就是这个加速条件,然后测数据是否还在。从这个出发,U盘之类的,过了10年,最好数据复制出来再重新写入一次。具体公式参考JESD22-A117,加速条件计算还是用阿瑞尼斯方程 

    data retention问题:

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