480W的隔离电源模块中，是原边全桥整流管。模块输入电压51V~56VDC，额定输出10.8V，48A。这次坏掉的是一个桥臂上的两颗管子。在应用时因为外围电路异常造成二次侧电流反灌到原边整流管，电流从Source流向Drain的状态。结合FA报告中的Source面上的烧毁痕迹，原因分析是电流的EOS，能否证明是因为电流从S往D流动造成source烧掉？
对于同步整流，输出的反灌电流是最恶劣的一种条件，在设计的过程中要尽可能的减小输出的反灌。（1） 输出反灌形成输出整流管的雪崩，导到输出同步的整流管损坏，取决于输出同步的整流管的雪崩能力，以及反灌电流形成的负向电流的大小。（2）输出反灌电流会影响原边MOSFET工作。当输出形成反向电流的时候，若Q1、Q2是一个半桥臂，Q1为上管，Q2为下管；Q3、Q4是另外一个半桥臂，Q3为上管，Q4为下管；若不是...

发布于2022-05-17

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请教一下各位：射频芯片封装出来同批次产品之间的电流一致性特别差，有的电流偏大，有的电流偏小！其余指标又正常。同批次下PA的静态电流一致性比较差，波动比较大请问有没有同行遇到过这种情况？
建议你看下FAB做的CP数据，具体看下Wafer上电流的分布情况，尤其是边缘和Block失效的周边。

发布于2022-05-06

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请问一下，有没有去PI的设备，可以去除一个摄像头部件上大约25um的PI,下面是铜线?
季丰可以做。目前有两种方式：1.湿法：化学法腐蚀去除PI，常规会选用。风险：有化学腐蚀金属和金属走线脱落的风险。2.干法：RIE离子刻蚀去除PI，一般不选用。风险：刻蚀时间久，刻蚀干净程度不足湿法腐蚀。只要表面裸露即可，不限产品，如果有封装壳则要去除或拆下，建议提供样品外观，尺寸，即可评估。

发布于2022-05-06

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