480W的隔离电源模块中，是原边全桥整流管。模块输入电压51V~56VDC，额定输出10.8V，48A。这次坏掉的是一个桥臂上的两颗管子。在应用时因为外围电路异常造成二次侧电流反灌到原边整流管，电流从Source流向Drain的状态。结合FA报告中的Source面上的烧毁痕迹，原因分析是电流的EOS，能否证明是因为电流从S往D流动造成source烧掉？

对于同步整流，输出的反灌电流是最恶劣的一种条件，在设计的过程中要尽可能的减小输出的反灌。
（1） 输出反灌形成输出整流管的雪崩，导到输出同步的整流管损坏，取决于输出同步的整流管的雪崩能力，以及反灌电流形成的负向电流的大小。
（2）输出反灌电流会影响原边MOSFET工作。

当输出形成反向电流的时候，若Q1、Q2是一个半桥臂，Q1为上管，Q2为下管；Q3、Q4是另外一个半桥臂，Q3为上管，Q4为下管；若不是全桥移相软开关而是PWM硬开关工作，由于输出是反向电流，因此当Q1、Q4导通前，电流从Q1、Q4二极管中流过；当Q1/4导通后，会从Q1、Q4沟道流过。当副边输出电感的能量足够大时，其原边电流不足以反向，因此Q1、Q4关断后电流还得从Q1、Q4二极管中流过，经过死区时间后，Q2、Q3导通。此时由于Q1、Q4二极管中流过电流时间长，电流也比较大，而且死区时间短，对于一些MOSFET的二极管，反向恢复的时间不是够的，就是Q1、Q4体二极管电荷没有完全恢复，这时Q2、Q3导通，就会导致上下桥臂直通直到损坏。

至于损坏的是上桥还是下桥，那就看那个管子承受短路的能力更强。是损坏原边还是副边，也看那边管子的能力更强。
 -- 对于副边，是大电流关断后的电压雪崩。
 -- 对于原边，是二极管反向恢复上下桥直通形成大电流损坏。

通常二极管也是负温度系数，其导致损坏和开通时过线性区热量的积累导致的损坏形态比较接近，对应着二极管没有完全恢复的MOSFET形态。因些对于这个例子，最好的办法，从设计角度来说还是减小输出反灌电流。从器件来说，提高原边MOSFET的体二极管的反向恢复特性，可以提高原边器件的安全性，最终的方法还是控制输出反灌电流，才能真正保持系统安全性。