（1）请教一个AO3401A的问题：现在使用AO3401A的导通电阻RDS(on)作为隔离电阻，用来缓冲热插入移动硬盘的瞬间冲击电流，防止瞬间把主机芯电压拉低，电路图如下，5V_USB是插移动硬盘的地方，+5V_Normal来自主机芯电压。将VGS设计在固定的-1.6V左右，此时的RDS(on)大约在100mΩ左右，插上移动硬盘瞬间的冲击电流由原来的9A下降到了5A左右，冲击电流持续时间80微秒左右，效果很明显，移动硬盘正常工作时电流约300mA。如果将VGS设计在-2.5V左右，RDS(on)只有几十m
VGS=-1.6V时，可以保证MOSFET导通，注意要考虑电阻阻值的分散性，在最差的条件下，如果使用电阻的精度为10％，VGS电压绝对值：1.3+1.6*20%=1.64V，MOSFET仍然可以工作。如果电阻的精度为15％，考虑到MOSFET的VGS(th)电压的分散性，在一定的条件下如低温时，MOSFET就有可能不工作，而且VGS(th)电压是负温度系数，温度越低，其值越大。驱动电压的稳定值要结...

发布于2022-05-17

0个赞

咨询一下，这个是什么flash制程？
请问nor flash和nand flash切片上有什么不一样的？

发布于2022-05-16

0个赞