请教一个AO3401A的问题:现在使用AO3401A的导通电阻RDS(on)作为隔离电阻,用来缓冲热插入移动硬盘的瞬间冲击电流,防止瞬间把主机芯电压拉低,电路图如下,5V_USB是插移动硬盘的地方,+5V_Normal来自主机芯电压。将VGS设计在固定的-1.6V左右,此时的RDS(on)大约在100mΩ左右,插上移动硬盘瞬间的冲击电流由原来的9A下降到了5A左右,冲击电流持续时间80微秒左右,效果很明显,移动硬盘正常工作时电流约300mA。如果将VGS设计在-2.5V左右,RDS(on)只有几十m

ー個亽の江湖半导体器件原理 2022-05-17 14:54:26 407阅读 北京市朝阳区 电信
请教一个AO3401A的问题:现在使用AO3401A的导通电阻RDS(on)作为隔离电阻,用来缓冲热插入移动硬盘的瞬间冲击电流,防止瞬间把主机芯电压拉低,电路图如下,5V_USB是插移动硬盘的地方,+5V_Normal来自主机芯电压。将VGS设计在固定的-1.6V左右,此时的RDS(on)大约在100mΩ左右,插上移动硬盘瞬间的冲击电流由原来的9A下降到了5A左右,冲击电流持续时间80微秒左右,效果很明显,移动硬盘正常工作时电流约300mA。如果将VGS设计在-2.5V左右,RDS(on)只有几十mΩ,对冲击电流的抑制作用不大。这个电路的设计原则是什么?

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1条回答

  • 任世界灯火阑珊
    2022-05-17 14:54:40

    VGS=-1.6V时,可以保证MOSFET导通,注意要考虑电阻阻值的分散性,在最差的条件下,如果使用电阻的精度为10%,VGS电压绝对值:1.3+1.6*20%=1.64V,MOSFET仍然可以工作。如果电阻的精度为15%,考虑到MOSFET的VGS(th)电压的分散性,在一定的条件下如低温时,MOSFET就有可能不工作,而且VGS(th)电压是负温度系数,温度越低,其值越大。

    驱动电压的稳定值要结合输入电压最低值和分压电阻值的精度、VGS(th)以及其温度系数等最极端的条件,来选择合适的分阻电阻的分压比,保证系统的设计要求。PCB布板设计时,S和D都用大的铜皮连接。如果是多层板,在每层都放上相应大小的的铜皮,用多个10-15mil的过孔连接散热。

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