想请教一下： 1.gate oxide layer如何形成缺陷？ 2.如何预防解决gate oxide layer的缺陷，防止gate oxide击穿？ 3.都说导致空洞最大原因跟封装厂贴片有关，那除了贴片原因外，还有什么情况也会导致空洞的发生？
有FN tunneling效应在，不可能存在所谓不会被击穿的gate oxide，其它gate oxide相关的可以搜索下GOI/TDDB词条。常见氧化层缺陷有污渍，局部变薄，针孔，氧空位等。取决于fab长膜工艺及机台稳定性。

发布于2022-05-16

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