首页
资讯
失效分析
可靠性分析
行业圈
问答库
悬赏问答
待解决的问题
已解决的问题
文献库
申请认证专家
登录
|
注册
我要发布
提出问题
发布文章
发布文档
挽梦
暂未设置签名
5
文章
3
提问
2
回答
0
粉丝
提问(3)
回答 (2)
文章(5)
粉丝
朋友圈
关注
大家好,请问群里有大神知道关于存储芯片的MTBF里面激活能一般取多少吗?
没有特定的失效模式就选0.7。
发布于2022-05-07
0个赞
请教一个简单的问题,考虑晶体管寿命的时候 一般大部分成熟工艺Gate耐压是都要比Drain低还是比Drain高?
成熟制程的Gate耐压要看Gate Oxide的厚度,一般的击穿电压在8~10MV/CM, Drain的击穿电压是PN Junction的反向击穿电压,一般不会特别高,高压器件LDMOS除外。
发布于2022-05-06
0个赞