没有特定的失效模式就选0.7。

发布于2022-05-07

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成熟制程的Gate耐压要看Gate Oxide的厚度,一般的击穿电压在8~10MV/CM, Drain的击穿电压是PN Junction的反向击穿电压,一般不会特别高,高压器件LDMOS除外。

发布于2022-05-06

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