AOD4126的数据表中，红色标注的ID、IDSM、IDM有什么区别？PD和PDM的值是否有标错？另外关于RθJA和RθJC，作为用户要按照备注中的哪一项判定？对于同样规格的MOSFET，双通道和单通道相比，优势在哪里？是不是简单的RDS(on)减半、ID加倍等参数合成？
MOSFET的数据表中，ID和IDSM都是计算值，ID是基于RθJC和RDS(on)以及最高允许结温计算得到的，IDSM是基RθJA和RDS(on)以及最高允许结温计算得到的，PD和PDM也是基于上述条件的计算值。计算的时候取TC=25C，而实际应用中很多时候TC超过100C，而且由于器件所用的散热条件不一样，在开关过程中还要考虑动态参数，所以基于电流降额选用MOSFET没有意义，ID没有实际的意...

发布于2022-05-17

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有没有Data RetentionTest测试规范？就是烘烤250℃，24小时，然后再测试。
baking时间和温度是和wafer的process有关的，不是通用的，你要查你的产品的process工艺对应的spec。

发布于2022-05-16

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哪位大神可以提供一下《GJB/Z 299B-1998 电子设备可靠性预计手册》
国军标的这份文件是参考MIL-HDBK-217, 这份文件已经多年未更新，被废弃了。你的产品是电信类的吗? 可以参考Telcordia SR-332

发布于2022-05-16

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咨询大家一个问题：如果把CP pad放在划片槽里面，会不会后续引起什么问题？但是这种CP pad还是要和内部电路相连接的，划的时候会不会出什么可靠性问题，我的意思是为了省面积，把CP pad放在划片槽，但是要和seal ring 里面的电路连接，或者把CP pad放在电路的上面有啥问题么？
CP pad不要放，PAD应该是最终被划掉的，不会打线，但你如果用CP pad划片等于上下打穿了，PAD和下面ESD电路短接，最终会不会对你整个芯片带来影响。

发布于2022-05-16

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