AOD4126的数据表中，红色标注的ID、IDSM、IDM有什么区别？PD和PDM的值是否有标错？另外关于RθJA和RθJC，作为用户要按照备注中的哪一项判定？对于同样规格的MOSFET，双通道和单通道相比，优势在哪里？是不是简单的RDS(on)减半、ID加倍等参数合成？

MOSFET的数据表中，ID和IDSM都是计算值，ID是基于RθJC和RDS(on)以及最高允许结温计算得到的，IDSM是基RθJA和RDS(on)以及最高允许结温计算得到的，PD和PDM也是基于上述条件的计算值。

计算的时候取TC=25C，而实际应用中很多时候TC超过100C，而且由于器件所用的散热条件不一样，在开关过程中还要考虑动态参数，所以基于电流降额选用MOSFET没有意义，ID没有实际的意义。

RθJA和RθJC是二个不同的热阻值，具体的定义在数据表中有详细的说明，数据表中的热阻值都是在一定的条件下测量得到的，实际应用过程中由于条件不同，得到的测量结果并不相同。

使用双通道和单通道的MOSFET，要综合考虑开关损耗和导通损耗，RDS(on)不是简单的减半，因为二个功率管并联工作，不平衡性的问题永远存在，而且动态的开关的过程中容易产生动态的不平衡。如果不考虑开关损耗，仅仅考虑导通损耗，那么还是要对RDS(on)作一定的降额。