MOSFET的数据表中,ID和IDSM都是计算值,ID是基于RθJC和RDS(on)以及最高允许结温计算得到的,IDSM是基RθJA和RDS(on)以及最高允许结温计算得到的,PD和PDM也是基于上述条件的计算值。
计算的时候取TC=25C,而实际应用中很多时候TC超过100C,而且由于器件所用的散热条件不一样,在开关过程中还要考虑动态参数,所以基于电流降额选用MOSFET没有意义,ID没有实际的意义。
RθJA和RθJC是二个不同的热阻值,具体的定义在数据表中有详细的说明,数据表中的热阻值都是在一定的条件下测量得到的,实际应用过程中由于条件不同,得到的测量结果并不相同。
使用双通道和单通道的MOSFET,要综合考虑开关损耗和导通损耗,RDS(on)不是简单的减半,因为二个功率管并联工作,不平衡性的问题永远存在,而且动态的开关的过程中容易产生动态的不平衡。如果不考虑开关损耗,仅仅考虑导通损耗,那么还是要对RDS(on)作一定的降额。