关于米勒电容Crss，在文档MOSFET的动态参数中，有公式如下参考图片，Crss电容是栅极通过氧化层对漏极的电容，对于开关过程，在第2阶段，沟道打开后，Ciss为什么增加了，是什么原因？另外，AON6450规格书上的测试条件是VDS=50V的情况，这个测试的条件基于什么原因？是否可以给出其它条件下的电容值？
Ciss增加的原因是Crss增加，图中器件导通后，Wdep减小，Crss就增加。对于100V的器件，比如AON6450，由于在米勒平台区，极限的情况VGD将从100V降到10V以内。Coss、Crss都是动态电容，容值随着VDS而变化，而且不是线性关系。数据表中所采用的测试条件，是行业通常采用的标准，以50%的VDS测试。数据表中提供了电容曲线，可以查到80%或100%的数据。

发布于2022-05-17

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