雪崩损坏MOSFET有两种情况：一种是快速高功率脉冲，直接使寄生二极管产生较大雪崩电流，芯片快速加热过温损坏。另一种是寄生三极管导通，并发生二次击穿？什么情况下倾向于第一种发生，什么情况下倾向于第二种发生？
如果单元非常一致，散热非常好均匀、热平衡好，第一种情况发生，早期的平面工艺有时候就会看到这种损坏模式。现在新的工艺导致单元的密度越来越集中，产生的损坏通常用就是第二种。体内寄生三极管导通产生雪崩损坏，同时伴随着体内寄生三极管发生二次击穿，此时集电极电压在瞬态时间几个n秒内，减少到耐压的1/2，原因在于内部耗尽层载流子发生雪崩注入，电场电流密度很大，接近硅片临界电场。电流大，电压高，电场大，电离强，...

发布于2022-05-17

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如果我们用TLP测试机再试试，看和hbm测试设备的结果对比，是否有意义？
个人感觉只能作为参考，两者的波形不同，内部电路的寄生情况可能会降低参考价值吧。

发布于2022-05-16

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请教一下各位，UV对 wafer的pad会有什么影响吗？调试时发现CP IOH/IOL不稳定，排除了各种可能， 最后发现UV之后测试变的稳定。
你们是什么产品？可能是wafer process(HDP等）会有少许charging，通过照射UV relax掉了，照完就变得稳定了。有的产品在FABprocess完成之后WAT之前会专门有道UV，目的就是relaxing charging之类。

发布于2022-05-06

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