雪崩损坏MOSFET有两种情况：一种是快速高功率脉冲，直接使寄生二极管产生较大雪崩电流，芯片快速加热过温损坏。另一种是寄生三极管导通，并发生二次击穿？什么情况下倾向于第一种发生，什么情况下倾向于第二种发生？

如果单元非常一致，散热非常好均匀、热平衡好，第一种情况发生，早期的平面工艺有时候就会看到这种损坏模式。现在新的工艺导致单元的密度越来越集中，产生的损坏通常用就是第二种。

体内寄生三极管导通产生雪崩损坏，同时伴随着体内寄生三极管发生二次击穿，此时集电极电压在瞬态时间几个n秒内，减少到耐压的1/2，原因在于内部耗尽层载流子发生雪崩注入，电场电流密度很大，接近硅片临界电场。电流大，电压高，电场大，电离强，大量的空穴电流流过基区P体电阻RB，寄生三极管导通，集电极电压快速返回到基极开路时的击穿电压。增益大时，三极管中产生雪崩击穿，此耐压值低。

三极管中产生雪崩注入条件：电场应力，正向偏置热不稳定性。

MOSFET关断时沟道漏极电流减小，感性负载使VDS升高，以维持ID电流的恒定，ID电流由沟道电流和位移电流组成。位移电流是体二极管耗尽层电流，和dV/dT成比例。VDS升高和基极放电、漏极耗尽层充电速度相关。漏极耗尽层充电速度和电容Coss、ID相关。ID越大，VDS升高越快。漏极电压升高，体二极管雪崩产生载流子，全部ID电流雪崩流过二极管，沟道电流为0。

很多的工程师问这样的一个问题：如果说UIS的雪崩损坏时电压通常会达到耐压值的1.2~1.3倍，可以明显看到电压有箝位，通俗说法就是波形砍头，那么对于100V的器件工作在105V或者110V是否安全？如上所述，100V的器件加上110V的电压不会损坏，那么安全的原则是什么呢？

对于设计工程师来说，所要求的就是在最极端的条件下设计的参数有一定的裕量，也就是从设计的角度来说保持系统的安全和可靠性，永远都排在最优先的位置。因此笔者建议的原则是：在动态的极端条件下瞬态的电压峰值不要超过MOSFET的额定值。