MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
如何在电路设计中避免类似的振荡的发生？可以计算吗？如果可以计算，是否可以利用VGS上升的斜率大于VDS下降的斜率来避免振荡发生？

发布于2022-05-17

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如果每次测试雪崩，会不会造成MOSFET伤害？
由于测量值有较大的降额，正常的规范下测量不会有伤害。

发布于2022-05-17

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