超结结构和普通VDMOS比起来，Coss会高很多吗？同普通Trench MOSFET相比，SGT降低Crss，但是会增加Cds，那Coss是变好还是变差了呢？
超结结构功率MOSFET的Coss在高偏压时，比普通VDMOS小很多。相对而言，Coss的值比较大，SGT额外产生的Cds，对Coss增加比例非常小。

发布于2022-05-17

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功率MOSFET标称的VGS(th)最小值为0.4V，是指所有情况吗，还是温度高了还有可能更加低？
测量的条件是25C，250uA电流，温度越高，VGS(th)值会越低。

发布于2022-05-17

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