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当星星没有光
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降低米勒平台电压值会有什么影响?超结结构的功率MOSFET设计中,反而不刻意追求快速开关?
降低米勒平台电压值,可以减小开通损耗,但会提高关断损耗。超结结构的功率MOSFET由于速度太快,通常会在G极的驱动端电容、电阻降低开关速度,减小G极的震荡,同时控制dv/dt,极端的情况,甚至在G、D之间加电容。
发布于2022-05-17
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100V的MOSFET,VGS耐压大概只能到30V。在器件处于关断的时刻,VGD大概能到100V,是因为G、S极间的栅氧化层厚度比较厚,还是说压降主要在沉底和飘移电阻上面?
G、S的电压主要由栅氧化层厚度控制,G、D的电压主要由外延层EPI+层厚度来控制,所以VGD耐压高。
发布于2022-05-17
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大家有没有好的方法可以分享交流?针对这种情况,如何比较好拆解器件?
1. 烘烤电路板,正常是105度烘烤12小时。2. 制定热风枪操作SOP,根据有铅无铅制程,定义最高温度。加热的过程要控制温度逐步提升。
发布于2022-05-16
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