100V的MOSFET,VGS耐压大概只能到30V。在器件处于关断的时刻,VGD大概能到100V,是因为G、S极间的栅氧化层厚度比较厚,还是说压降主要在沉底和飘移电阻上面?

余生浅末半导体器件原理 2022-05-17 14:47:57 557阅读 四川省雅安市 电信
100V的MOSFET,VGS耐压大概只能到30V。在器件处于关断的时刻,VGD大概能到100V,是因为G、S极间的栅氧化层厚度比较厚,还是说压降主要在沉底和飘移电阻上面?

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1条回答

  • 当星星没有光
    2022-05-17 14:48:15
    G、S的电压主要由栅氧化层厚度控制,G、D的电压主要由外延层EPI+层厚度来控制,所以VGD耐压高。
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