100V的MOSFET,VGS耐压大概只能到30V。在器件处于关断的时刻,VGD大概能到100V,是因为G、S极间的栅氧化层厚度比较厚,还是说压降主要在沉底和飘移电阻上面?
余生浅末半导体器件原理
2022-05-17 14:47:57
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四川省雅安市 电信
100V的MOSFET,VGS耐压大概只能到30V。在器件处于关断的时刻,VGD大概能到100V,是因为G、S极间的栅氧化层厚度比较厚,还是说压降主要在沉底和飘移电阻上面?
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