MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
开关损耗的计算公式中，T1-T2、T2-T3是变量吗？会随负载变化吗？算出开关损耗，RG和Ciss又如何考虑？

发布于2022-05-17

0个赞

使用如下电路，用CPU的GPIO口直接控制一个MOSFET管，MOSFET作为后端负载的开关，这种应用有什么风险？
检查VCC以及MR34/MR35分压后的电压值VGS，VGS绝对值要比MQ1的VGS(th)高才能保证MOSFET完全打开，否则后面的系统可能不工作；同时检查GPIO口的驱动能力，是否满足驱动的要求。如果很小，最好用GPIO口驱动一个三极管的B极，三极管的集电极C下拉MOSFET的G极。由实际的浪涌电流再调整MC11值，以及MR34/MR35值。在PCB设计时，MQ1的D，S用大铜皮连接，如果多层...

发布于2022-05-17

0个赞

问一下，这个滤波器的寿命这么长，是做啥试验算出来的？HTOL 吗？
无源器件不适合HTOL老化模型

发布于2022-05-16

0个赞