MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
实际应用中推荐在G、S间加一个1uF左右电容，如果在G、D间加电容以增加VGS的续电流的时间，ID完全导掉，没有多余的电流对CGD反向充电，应该更容易避免振荡。那么在G、S间加电容是什么原因呢？效果和在G、D间加电容一样吗，原理是什么？

发布于2022-05-17

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咨询个问题，Rdson偏大，一般是什么问题导致的？
烧伤，如果是偏大一点，也和封装有关，比如bump球接触，健合位置。

发布于2022-05-16

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MBB是啥意思？
Moisture Block Box，防潮盒，常用的是铝箔袋

发布于2022-05-16

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