图中上端的功率MOSFET管Q3使用这种背靠背二极管的P管的结构，这种结构有什么优点和缺点？是不是这种结构不存在体二极管？
这种结构没有什么特别，平面工艺，N和P都容易做，主要是驱动简单，单芯片设计就简单了许多。MOSFET的结构都有这二个背靠背的二极管，用平面横向的MOSFET结构，二个体寄生二极管在内部没有引出；用VDMOS结构，源极和P区不连接，寄生二极管也不会连出来。

发布于2022-05-17

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请教一下手机nand格式化都需要什么条件啊，是只需要电压足够就行吗？是通过固件进行的，也是整个erase的，3D的
单颗芯片问题还是普遍现象，外围电路及controller 都要排查一下是否相关，理论上多次erase看看fail的block是否一致。如果fail block被屏蔽了，是否有办法把该block从BB里拿掉，对这些fail block单独操作，看看fail现象，单独一个fail block进行EPR操作，看看fail几个bit

发布于2022-05-16

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