图中上端的功率MOSFET管Q3使用这种背靠背二极管的P管的结构，这种结构有什么优点和缺点？是不是这种结构不存在体二极管？

这种结构没有什么特别，平面工艺，N和P都容易做，主要是驱动简单，单芯片设计就简单了许多。MOSFET的结构都有这二个背靠背的二极管，用平面横向的MOSFET结构，二个体寄生二极管在内部没有引出；用VDMOS结构，源极和P区不连接，寄生二极管也不会连出来。