MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
通常原因是VDS下降比较快，从CGD抽走电流超过了IG能提供的电流，导致VGS产生了下降，由于VGS正好处于MOSFET临界开通的门槛电压上，VGS轻微的下降会导致ID迅速变小，VDS的下降速率因此会变慢，这样反过来减少CGD抽走的电流，于是VGS又开始上升，这样就构成了一个振荡周期，寄生电感也参入振荡的过程。

发布于2022-05-17

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