功率MOSFET的Qgs，Qgd，Ciss，Crss，Coss，tr和tf的关系？
如下图，在一定的测试条件下，Qgs与Ciss相关，Qgd与Crss相关，Qg与Crss、Ciss都相关，驱动的电压决定其最终的电荷值。Qgs和Qgd都是基于相关的电容的计算值。上升和下降的延时和Crss、Ciss都相关，测量条件是阻性负载。如果是感性负载，电感电流不能突变，那么由于电感的续流，这个时间就和负载的特性相关。上升延时tr：上升延时的定义是在MOSFET的开通过程中，VGS的电压上升，从...

发布于2022-05-17

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