功率MOSFET的Qgs，Qgd，Ciss，Crss，Coss，tr和tf的关系？

如下图，在一定的测试条件下，Qgs与Ciss相关，Qgd与Crss相关，Qg与Crss、Ciss都相关，驱动的电压决定其最终的电荷值。Qgs和Qgd都是基于相关的电容的计算值。

上升和下降的延时和Crss、Ciss都相关，测量条件是阻性负载。如果是感性负载，电感电流不能突变，那么由于电感的续流，这个时间就和负载的特性相关。

上升延时tr：上升延时的定义是在MOSFET的开通过程中，VGS的电压上升，从其10%值开始，到VDS下降到为10%VDS值为止。在开通的过程中，VGS上升米勒电容平台前的时间由Ciss决定，米勒电容平台的时间Crss由决定，过了米勒电容平台到VDS下降到为10%VDS的时间又由Ciss决定。下降延时tf和tr定义类似。