何謂導通電阻？
MOSFET工作（啟動）時，汲極-源極間的阻值稱為導通電阻 （RDS(ON)）。
數值越小，工作時的損耗（功率損耗）越小。
關於導通電阻的電氣特性
電晶體的消耗功率用集極飽和電壓（VCE(sat)）乘以集極電流（IC）表示。
- （集極損耗PC）＝（集極飽和電壓VCE(sat) ）x（集極電流IC）
- MOSFET的消耗功率是用汲極-源極間導通電阻（RDS(ON)）計算。
MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導通電阻乘以汲極電流（ID)的平方表示。
- （功率PD）＝（導通電阻RDS(ON) ） x （汲極電流ID）2
- 此功率將變成熱量散發出去。
MOSFET的導通電阻一般在Ω極以下，與一般的電晶體相比，消耗功率小。即發熱小，散熱對策簡單。
如左上圖所示，閘極源極間電壓越高，導通電阻越小。另外，閘極源極間電壓相同的條件下，導通電阻因電流不同而不同。計算功率損耗時，需要考慮閘極源極間電壓和汲極電流，選擇適合的導通電阻。
另外，如右上圖所示，導通電阻因溫度變化而變化，因此需要注意這一特性。
導通電阻比較
一般MOSFET的晶片尺寸（表面面積）越大，導通電阻越小。
下圖顯示了不同尺寸的小型封裝條件下，羅姆最小導通電阻值的比較。
封裝尺寸越大可搭載的晶片尺寸就越大，因此導通電阻越小。
羅姆針對各種不同的封裝尺寸，備有低導通電阻的產品。
選擇更大尺寸的封裝，導通電阻會更小。
