半导体器件原理

Physics of Semiconductor Devices;半导体器件原理，半导体，芯片

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MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
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请教一下，芯片管脚的等效负载电容要怎么测试呢？
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NMOS其中一个管子发现有损伤，但是右面放大的 L-PVC发现规律的3个灰度，这个和 烧伤有关联吗？
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