電晶體是什麼？-負載開關

關於負載開關為ON時的突波電流

負載開關為ON的瞬間，一時之間會流過比恆定電流還大的電流。輸出側的負載容量CL的電荷接近0時，輸出Vo加入電壓的瞬間，會流過大量的充電電流。
像這樣流過過大的電流，稱之為突波電流（Rush current）。
突波電流的峰值幾乎以輸入電壓Vi和MOSFET Q1的Rds（on）和負載容量CL的ESR決定，輸入電壓Vin變大量時，該程度的電流也會變多。
另外，若超過最大額定電流，可能會導致破壞問題。
追加和接續在MOSFET Q1的閘極、源極之間的電阻R1並列的電容器C2，並藉由關閉Q1的閘極電壓，可讓Rds（on）慢慢變小，並抑制突波電流。

■負載開關等價電路圖

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關於Nch MOSFET的負載開關為ON時的突波電流對策

■Nch MOSFET負載開關等價回路圖

Nch MOSFET負載開關：RSQ020N03
Vin=5V, lo=1A, Q1_1G=1V→12V

• Q2 OFF時，負載SWQ1為ON。（Q1的閘極電壓為Vo（VgsQ1）以上。）
• Q2 ON時，負載SWQ1為OFF。
• Q1為ON時，會流出突波電流的關係，將追加C2作為對策。

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關於Nch MOSFET的負載開關為ON時的突波電流對策

即使負載開關Q1從ON改為OFF，根據輸出側的負載容量CL，出力Vo端子的電壓會殘留一定時間。
若輸入Vi側的電壓比輸出V0測還差，由於MOSFET Q1的汲極、源極之間存在寄生二極體，透過寄生二極體，電流可能會從輸出Vo側逆流至輸入Vin側。
必須注意不可超過MOSFETQ1的電流額定值。
關於輸入旁路電容器CIN的容量值，須確實檢討包含負荷側條件在內的開啟時機後決定。

■負載開關等價電路圖