電晶體是什麼？電晶體是什麼？
電晶體ON時的逆向電流相關資訊
以NPN電晶體來說，基極(B)為正極、集極(C)為負極，分別對其施加偏壓電流，然後由射極(E)到C則會有逆向電流產生。 請檢討在使用上是否會有任何問題。
1. 無品質劣化及產品損壞的疑慮，使用上並無任何問題。
2. 使用NPN-Tr時，與B對稱的C、E必須皆為N型。因此，即使C、E接反，仍能作為電晶體使用。
亦即電流的流動方向為E → C。
3.逆向電晶體的特色如下：
- hFE較低。(約順向電壓的10%以下)
- 不具備高耐壓性。(電壓約為7 to 8V，和VEBO差不多低) ←若使用汎用型TR電晶體時，除了上述條件外，亦可能會有電壓小於5V的情形發生。
(超過此耐壓值時，將造成電壓崩潰(Breakdown)，因而發生hFE過低等特性不佳的情形，此點需特別注意。) - VCE(sat)和VBE(ON)的特性幾乎不變。前往詳細產品頁面
關於封裝功率的額定功率
定義：若因施加至電晶體的電壓、電流產生功率損耗，因而造成元件發熱時，接合面(junction)溫度：Tj到達絕對最大額定值所規定的溫度(Tj = 150°C)時的功率。
計算方法：將施加Px的電力時所造成的溫度上升作為△ Tx，由此可得
上述計算公式中的Pc、Ta、△ Tx、Px可分別根據測量時的設定值或是測量結果直接求出，但只有Tj無法直接計算出來。 因此，必須採用下列運用VBE之測量方法。
VBE測量法 使用矽電晶體時 基極－射極間電壓：VBE將依溫度而改變。
由此可知，只要測量VBE，即可根據測量結果推測出接合面溫度。
根據圖1的測量電路，將封裝功率：Pc (max)施加至電晶體(假設所使用的電晶體為1W時，必須根據VCB = 10VIE = 100mA的條件來施加電壓)
如圖2所示，
- 以VBE為初始值測量出VBE1。
- 將電壓施加至電晶體，並使接合面熱飽和。
- VBE 之after值：測量VBE。
完成上述步驟後，即可求得△VBE=VBE2-VBE1。
BE，如此便能夠利用下列公式計算出接合面上升的溫度。
fT:增益頻寬乘積、遮斷頻率之相關說明
fT:所謂「增益頻寬乘積」就是電晶體可動作的邊界頻率。
所謂「邊界」是指集極電流與基極電流的比為1 (亦即hFE=1)時的狀態。
當基極輸入頻率(動作頻率)變大時，hFE就會變低，當hFE變為1時的頻率就稱之為fT：(增益頻寬乘積)，而「fT」就是上述頻率可動作的邊界值。
不過，實際使用時，可動作的fT值則約為1/5 to 1/10左右。
测定条件如下
f:根据测定装置而定。为测定的标准频率。
VCE:任意设定。我公司为一般值。
Ic:任意设定。我公司为一般值。
