MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
振荡的起源是从VGS的下降开始，增大CGS可以抵抗VGS的下降，因此可以有效抑制振荡，但是缺点是会拉长开通时间，增加损耗。G、D加电容，可以减小电容CGD随电压非线性突变产生的振荡。

发布于2022-05-17

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功率MOSFET的耐压为什么是正温度系数？温度高，功率MOSFET的耐压高，那是不是表明MOSFET对电压尖峰有更大的裕量，MOSFET更安全？
随着温度的升高，晶格的热振动加剧，致使载流子运动的平均自由路程缩短。因此，在与原子碰撞前由外加电场加速获得的能量减小，发生碰撞电离的可能性也相应减小。在这种情况下，只有提高反向电压，进一步增强电场才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿电压随温度升高而提高，具有正的温度系数。MOSFET耐压的测量基于一定的漏极电流，温度升高时，为了达到同样的测量漏极电流，只有提高电压，表面上看起来，测量的耐压提高了。但是M...

发布于2022-05-17

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请教诸位个问题啊，AEC-q100的htol中，有这么一句话：For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.这个意思是说在 htol测试之前，需要先进行高温的NVCE吗？
我认为指的是，先要验证这个模块是满足HTOL要求的，然后才能验证整个系统的HTOL。要不然从模块上都不满足要求，系统上直接验证是不合理的

发布于2022-05-16

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