随着温度的升高,晶格的热振动加剧,致使载流子运动的平均自由路程缩短。因此,在与原子碰撞前由外加电场加速获得的能量减小,发生碰撞电离的可能性也相应减小。在这种情况下,只有提高反向电压,进一步增强电场才能发生雪崩击穿,因此雪崩击穿电压随温度升高而提高,具有正的温度系数。
MOSFET耐压的测量基于一定的漏极电流,温度升高时,为了达到同样的测量漏极电流,只有提高电压,表面上看起来,测量的耐压提高了。但是MOSFET损坏的最终原因是温度,更多时候是局部的过温,导致局部的过热损坏,在整体温度提高的条件下,MOSFET更容易发生单元的热和电流不平衡,从而导致损坏。