MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
选用开关速度较慢的MOSFET，G、D间加电容增大CGD，G、S间加电容增大CGS，但是会增加开关损耗。调整驱动能力，优化RG，RG增大或减小都有可能，要根据实际情况调整。D、S间并联snubber，也会增加损耗。

发布于2022-05-17

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跟各位专家请教下ESD测试问题： 测试条件：根据IEC-61000-4-2，接触放电，6KV，对笔记本电脑测试 测试结果：SSD带铝箔袋fail， 去掉铝箔袋pass（铝箔袋是客户指定配置，另一款品牌SSD加铝箔袋能pass） 不良现象：死机重启 问题：加铝箔袋对静电有哪些影响？
防静电铝箔防潮袋具有防静电，防电磁干扰，防潮三大功能，法拉第电笼构造，屏蔽阻隔平均可达60db，静电保护功能强大，内层为纯金属铝构成，电阻率低于0.1Ω，四层结构复合能力强，封口牢固，具有良好的防水，阻氧，避光，耐穿刺，该产品适用于有防潮要求的电子产品包装：各类PC板，IC集成电路，光驱，硬盘，以及化学原料和生物中间体的真空包装等，表面电阻值108-1010Ω。没有接触过这类产品，上面是百度的，所...

发布于2022-05-16

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F从哪里来呢，产生机理是什么？
请问如上情况怎么改善？

发布于2022-05-06

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