VGS大于VGS(th)时MOSFET导通，MOSFET刚进入米勒平台，是否就算达到了饱和？如果是这样，此时停止向G极供电，假定忽略栅极氧化层的漏电，这时VDS会一直维持比较高压降吗？感觉有点不可思议，因为其饱和以后，RDS(on)已经降了下来。如果说没有饱和，也感觉说不过去，RDS(on)和VGS有关，达到10V以后，RDS(on)已经很小了，压降也应该降下来。如果说压降自动会降下来，那不是说米勒平台后期的充电没有什么用？
VGS大于VGS(th)时MOSFET开始导通，此时电流非常小，从开通到其刚进入米勒平台，MOSFET都工作在放大区，而且器件都没有完全导通，此时MOSFET导通电阻非常大，D极的电压由整个MOSFET承受，因此电流较小，电流乘上电阻也等于VDS值，也就是D、S极所加的电源电压值。MOSFET工作在线性区时，和线性电压调节器也就是LDO，如LM7805的工作原理相同，如：当输入电压为10V，输出5...

发布于2022-05-17

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雪崩损坏MOSFET有两种情况：一种是快速高功率脉冲，直接使寄生二极管产生较大雪崩电流，芯片快速加热过温损坏。另一种是寄生三极管导通，并发生二次击穿？
是的，特别是新一代工艺的MOSFET，基本上是后一种损坏方式：寄生三极管导通。寄生三极管的导通，发生二次击穿并不全是因为雪崩发生，还可能由于dv/dt过高的原因而导致。

发布于2022-05-17

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请教一下各位，CSP 封装后的重测有没有方法能搞？大批量要上产线整的。
Film Frame Test，Fanout 给做成一个wafer再去测试比较靠谱，单颗的WLCSP听说也有handler在做，不过目前没听说普及。

发布于2022-05-08

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