VGS大于VGS(th)时MOSFET导通，MOSFET刚进入米勒平台，是否就算达到了饱和？如果是这样，此时停止向G极供电，假定忽略栅极氧化层的漏电，这时VDS会一直维持比较高压降吗？感觉有点不可思议，因为其饱和以后，RDS(on)已经降了下来。如果说没有饱和，也感觉说不过去，RDS(on)和VGS有关，达到10V以后，RDS(on)已经很小了，压降也应该降下来。如果说压降自动会降下来，那不是说米勒平台后期的充电没有什么用？

VGS大于VGS(th)时MOSFET开始导通，此时电流非常小，从开通到其刚进入米勒平台，MOSFET都工作在放大区，而且器件都没有完全导通，此时MOSFET导通电阻非常大，D极的电压由整个MOSFET承受，因此电流较小，电流乘上电阻也等于VDS值，也就是D、S极所加的电源电压值。

MOSFET工作在线性区时，和线性电压调节器也就是LDO，如LM7805的工作原理相同，如：当输入电压为10V，输出5V，压降就是5V；输入电压12V，输出还是5V，压降是7V，MOSFET相当于调节管，输入电压和输出电压的差值，都由MOSFET来承担。到了米勒平台区，电流为系统的最大电流，电流不能再增加，那么，VDS的电压开始下降，即使是VDS的电压下降一点点，所产生的电压变化率也非常大，因此驱动回路的电流，将全部被米勒电容Crss所抽取，此时就看到了所谓的米勒平台，VDS的电压在一定的时间内维持一个稳定的值，直到VDS完全下降到最小值，VDS的电压变化率为0时才结束米勒平台区。