雪崩损坏MOSFET有两种情况:一种是快速高功率脉冲,直接使寄生二极管产生较大雪崩电流,芯片快速加热过温损坏。另一种是寄生三极管导通,并发生二次击穿?

影星半导体器件原理 2022-05-17 14:49:04 354阅读 广东省广州市 中医药大学
雪崩损坏MOSFET有两种情况:一种是快速高功率脉冲,直接使寄生二极管产生较大雪崩电流,芯片快速加热过温损坏。另一种是寄生三极管导通,并发生二次击穿?

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1条回答

  • 十七岁那年的雨季
    2022-05-17 14:49:27
    是的,特别是新一代工艺的MOSFET,基本上是后一种损坏方式:寄生三极管导通。寄生三极管的导通,发生二次击穿并不全是因为雪崩发生,还可能由于dv/dt过高的原因而导致。
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