与双极晶体管不同,在不同的晶片之间以及在不同的批次之间,MOSFETs参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难,工艺工程师们要保证器件的性能在某个范围内,大体上,他们以报废超出这个性能范围的芯片的措施来严格控制预期的参数变化。通常提供给设计师的性能范围只适用于数字电路并以工艺角(ProcessCorner)的形式给出。如图,其思想是:把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个...

发布于2022-05-16

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如果你fail的样品连板子一起SAT,C-SCAN看看有啥问题,同时还要关注MSL3的样品开真空包装后在环境中停留了多久,如果过168hrs,应该重新bake后再上板,如果是SMT后存放时间过久,在demounting之前还要bake,因为demounting的高温也会由于样品吸潮导致分层,这样你的bump可能在这过程中熔化再沿着delam的区域连接。

发布于2022-05-06

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