测试高压MOSFET体内二极管的反向恢复时，IF越低，Qrr越大，电压尖峰越高，为什么？
在MOSFET的体二极管导通时，电荷在PN结积累，当二极管开始承受阻断电压时，这些电荷将被清除。如果IF低，PN结积累的电荷水平低，清除的速度快，dv/dt就大，C*dv/dt的偏移电流就大。测试的Qrr包括真正的Qrr以及C*dv/dt相关的少子，因此测试的Qrr在IF低时就越大。

发布于2022-05-17

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功率MOSFET的数据表中dv/dt为什么有二种不同的额定值？如何理解体二极管反向恢复特的dv/dt？
在反激电源中，原边主开关管关断过程中，VDS的波形从0开始增大，因此产生一定的斜率dv/dt，同时产生电压尖峰，就是寄生回路的电感和MOSFET的寄生电容振荡形成的。这个dv/dt会通常通过米勒电容耦合到栅极，在栅极上产生电压，如果栅极电压大于阈都电压，MOSFET会误导通产生损坏，因此要限制MOSFET关断过程中的dv/dt。另一种情况就是在LLC、半桥和全桥电路，以及同步BUCK的下管，当下管...

发布于2022-05-17

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