功率MOSFET的数据表中dv/dt为什么有二种不同的额定值？如何理解体二极管反向恢复特的dv/dt？

在反激电源中，原边主开关管关断过程中，VDS的波形从0开始增大，因此产生一定的斜率dv/dt，同时产生电压尖峰，就是寄生回路的电感和MOSFET的寄生电容振荡形成的。这个dv/dt会通常通过米勒电容耦合到栅极，在栅极上产生电压，如果栅极电压大于阈都电压，MOSFET会误导通产生损坏，因此要限制MOSFET关断过程中的dv/dt。

另一种情况就是在LLC、半桥和全桥电路，以及同步BUCK的下管，当下管关断后下管的寄生二极管先导通续流，然后对应的上桥臂的上管开通，二极管在反向恢复过程中也会产生dv/dt的问题。通常二极管反向恢复的dv/dt额定值，远小于MOSFET本身的dv/dt额定值。

二极管在反向恢复过程中，如果存储的电荷没有完全清除，二极管也就是下管是不能承受压降的，下管相当于短路，那么在上管开通的过程，电源的电压就只能加在回路的杂散电感上：下管短路，输入电流要急剧增加，回路的杂散电感将限制电流增加，因此电源的电压就只能加在回路的杂散电感上，这个过程持续时间越长，短路电流冲击越大，MOSFET就可能在二极管的反向恢复过程中发生损坏。至于损坏的是上管还是下管，取决于那个功率的抗冲击能力强