测试高压MOSFET体内二极管的反向恢复时，IF越低，Qrr越大，电压尖峰越高，为什么？

在MOSFET的体二极管导通时，电荷在PN结积累，当二极管开始承受阻断电压时，这些电荷将被清除。如果IF低，PN结积累的电荷水平低，清除的速度快，dv/dt就大，C*dv/dt的偏移电流就大。测试的Qrr包括真正的Qrr以及C*dv/dt相关的少子，因此测试的Qrr在IF低时就越大。