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Coss(Cds+Cgd)由MOSFET的Cgd和PN结电容二者组成,如果温度太高,接近硅的本征温度,本征半导体载流子的浓度增加非常多,PN结的电容将增加,温度从300K增加到600K的仿真结果如图。
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