不同的测试的条件为影响MOSFET的数据表中的VGS(th)和BVDSS吗？ATE是如何判断的？

不同测试条件结果会不同，因此在数据表中会标明详细的测试条件，从而使测试结果具有可重复性。对于AET的测试，以VGS(th)为例，它和Igss相关，如AON6718L，当G、S极加上最大20V电压，VDS=0V，Igss小于100nA就表明通过测试。不同的公司ST、Fairchild、IR、Vishay等，可能使用不同的Igss，如IR1010使用200nA，IR3205使用100nA，目前行业内使用100nA更通用。

BVDSS的测试条件：IDSS=250uA，VGS=0V，有些公司使用350uA、500uA甚至1mA，如果IDSS越大，BVDSS电压值越高。