AO3401的VGS(th)规格书中标的可以到-1.3V，设置VGS=-1.6V，电压绝对值大于-1.3V，是否该MOSFET正常导通，应该没有问题吧？现在损耗并不是考虑的问题，0.03V的RDS(on)的压降对系统没有任何影响。原来使用一个0.1欧姆的氧化膜电阻来做隔离的，但是该电阻体积太大，用这个电路的目的就是想替换这个电阻。这个电路中MOSFET是在电视机开机后一直导通的，MOSFET一直导通的状态下来插入移动硬盘的，而不是插入移动硬盘后再打开MOSFET的，所以觉得调节R45/R46/C18的值不

Yzak半导体器件原理 2022-05-17 14:55:22 388阅读上海市黄浦区有线通

AO3401的VGS(th)规格书中标的可以到-1.3V，设置VGS=-1.6V，电压绝对值大于-1.3V，是否该MOSFET正常导通，应该没有问题吧？现在损耗并不是考虑的问题，0.03V的RDS(on)的压降对系统没有任何影响。原来使用一个0.1欧姆的氧化膜电阻来做隔离的，但是该电阻体积太大，用这个电路的目的就是想替换这个电阻。这个电路中MOSFET是在电视机开机后一直导通的，MOSFET一直导通的状态下来插入移动硬盘的，而不是插入移动硬盘后再打开MOSFET的，所以觉得调节R45/R46/C18的值不能起到降低冲击电流的作用。希望利用MOSFET的恒流区特性来降低冲击电流，如果把VGS调整到-2.5V以上，对冲击电流的限制作用就非常小了，只能从9A降到8A左右，这样的做法对MOSFET来说会有问题吗？

提示：如果此问题没有解决您的需求，您可以点击 “我也要问” 在线咨询。我也要问

若此问题存在违规行为，您可以点击 “举报” 。

上面的电路是利于MOSFET在开通过程中，较长时间工作在线性区（放大区，也就是恒流区），从而控制上电时瞬态大负载，如热插拨移动硬盘，因为硬盘带有较大的容性负载，切入瞬间形成较大的浪涌电流。如果MOSFET已经导通，后面再插入移动硬盘这样的大容性负载，浪涌电流主要由输出端的大电容来提供，因此MOSFET无法限制浪涌电流。

MOSFET工作在线性区时电阻远大于完全导通的电阻，因此也可以理解为用电阻抑止浪涌电流。通常这种负载开关电路设计时，分压电阻是为了防止VGS的最大电压超过额定的最高电压，串联在G极的电阻调节MOSFET的开通速度。在保证要求的开通速度条件下，VGS不能超过最大额定电压时，可以适当提高电阻值，这样在正常的工作状态下，MOSFET完全导通后，减小产生的静态损耗。

1条回答

热门推荐

快速提问，在线解答

相关问题

相关文章