MOSFET在放大区有负温度系数效应，所以容易产生热点，这是否就是MOSFET的二次击穿，不同工艺产品是否不同？但是，看资料MOSFET的RDS(on)是正温度系数效应，不会产生二次击穿，这一点一直都没有了解过，能否指点一下，后面再请教详细情况。

平面工艺和Trench工艺的MOSFET都有这个特点，这是MOSFET固有特性。RDS(on)的正温度系数效应是在完全导通的稳态的条件才具有这样的特性，可以实现稳态的电流均流。

MOSFET在动态开通的过程中会跨越负温度系数区进入到完全开通的正温度系数区；在关断过程中跨越完全开通的正温度系数区进入负温度系数区。只是因为平面工艺的单元密度非常小，产生局部过流和过热的可能性小，因此热平衡好，相对的动态经过负温度系数区时抗热冲击好。通常在设计过程中要快速的通过此区域，减小热不平衡的产生。