AO3401的VGS(th)规格书中标的可以到-1.3V，设置VGS=-1.6V，电压绝对值大于-1.3V，是否该MOSFET正常导通，应该没有问题吧？现在损耗并不是考虑的问题，0.03V的RDS(on)的压降对系统没有任何影响。原来使用一个0.1欧姆的氧化膜电阻来做隔离的，但是该电阻体积太大，用这个电路的目的就是想替换这个电阻。这个电路中MOSFET是在电视机开机后一直导通的，MOSFET一直导通的状态下来插入移动硬盘的，而不是插入移动硬盘后再打开MOSFET的，所以觉得调节R45/R46/C18的值不
上面的电路是利于MOSFET在开通过程中，较长时间工作在线性区（放大区，也就是恒流区），从而控制上电时瞬态大负载，如热插拨移动硬盘，因为硬盘带有较大的容性负载，切入瞬间形成较大的浪涌电流。如果MOSFET已经导通，后面再插入移动硬盘这样的大容性负载，浪涌电流主要由输出端的大电容来提供，因此MOSFET无法限制浪涌电流。MOSFET工作在线性区时电阻远大于完全导通的电阻，因此也可以理解为用电阻抑止浪...

发布于2022-05-17

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不同的测试的条件为影响MOSFET的数据表中的VGS(th)和BVDSS吗？ATE是如何判断的？
不同测试条件结果会不同，因此在数据表中会标明详细的测试条件，从而使测试结果具有可重复性。对于AET的测试，以VGS(th)为例，它和Igss相关，如AON6718L，当G、S极加上最大20V电压，VDS=0V，Igss小于100nA就表明通过测试。不同的公司ST、Fairchild、IR、Vishay等，可能使用不同的Igss，如IR1010使用200nA，IR3205使用100nA，目前行业内使...

发布于2022-05-17

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大家好，请教一下，晶圆背面金属的粘附性监控一般用什么方法?
芯片背面的金属通常是同时具备导电导热功能的，所以粘附性监控也许可以从这两个角度考虑。die attach后，1.die share可以用于check物理强度。2.经过热应力实验后（TC， thermal shock等）的ground resistance check。3.thermal performance evaluation。

发布于2022-05-16

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