清酒无隐
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MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
2022-05-17 15:15:31
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MOSFET在放大区有负温度系数效应，所以容易产生热点，这是否就是MOSFET的二次击穿，不同工艺产品是否不同？但是，看资料MOSFET的RDS(on)是正温度系数效应，不会产生二次击穿，这一点一直都没有了解过，能否指点一下，后面再请教详细情况。
2022-05-17 14:51:27
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